SiC中受主激发态对杂质电离的影响

• 作者: 戴振清 杨克武 杨瑞霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC Al掺杂 电离度 激发态
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 685-688,706
• 页数: 5页
• 分类号: O472|TN301
• 字数: 3116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.08.011

摘要

对Al掺杂4H-SiC中激发态对杂质电离的促进作用,与温度和掺杂浓度的关系进行了系统研究.发现促进作用随掺杂浓度的提高而增强,并且温度越高,随掺杂浓度的增加提高得越迅速;促进作用随温度的变化存在一峰值,并且随掺杂浓度的提高,峰值位置逐渐向温度高的方向移动.研究了激发态数目与杂质电离关系,发现当温度或掺杂浓度很低时(T＜200 K或NA＜1.0×1014 cm-3),无需考虑激发态对电离的影响;当温度很高时(＞800 K),只需考虑较少的激发态(一般3个即可),而在其他情况则需考虑的激发态多一些.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞		180	759	13.0	18.0
2	戴振清		9	21	2.0	4.0
4	杨克武		26	186	6.0	13.0