选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展

• 作者: 刘彩池 张帷 郝秋艳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 外延 横向过生长 悬挂式外延生长
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 93-96
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.001

摘要

Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用.降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致力于研究的内容,本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法、原理、进展情况进行了介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学材料学院	37	179	9.0	12.0
3	张帷	河北工业大学材料学院	4	32	3.0	4.0