一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法

• 作者: 林源为 赵晋荣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 深硅刻蚀 减小底部圆角 硅微腔 硅通孔(TSV) 先进封装
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制备技术|Semiconductor Fabricating Technology
• 页码范围: 42-45,64
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7|TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.01.007

摘要

由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响.为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究.通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6 μm和12 μm减小到了6.6～10.0 μm和8.4 μm.该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域.