5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关

• 作者: 袁丹丹 张志浩 张艺 殷锐昊 章国豪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 5G毫米波 单刀双掷(SPDT)开关 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低插损 高隔离
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用|IC Designs and Applications
• 页码范围: 55-59
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.01.010

摘要

基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片.为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射.芯片面积为2.1 mm×1.1 mm.在片测试结果显示,在24.25～ 29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm.