基于高压BCD工艺的内集成自举电路

• 作者: 冯宇翔 左安超 李斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压集成电路(HVIC) BCD工艺 MOS自举电路 二极管自举电路 低电压
• 年，卷（期）: 2022,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用|IC Design s and Applications
• 页码范围: 140-144
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.02.011

摘要

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC).对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题.基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证.测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能.