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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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  • 31. 氢终端金刚石MOSFET击穿机制的仿真研究
    作者： 余浩 周闯杰 蔚翠 何泽召 宋旭波 郭建超 冯志红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  184-191,198
    摘要： 对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA/mm,阈值电压接近20 V,与实测器件性能...
  • 32. 高压IGBT短路热点研究和性能改进
    作者： 周东海 张大华 叶枫叶 高东岳 晁武杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  192-198
    摘要： 为提升高压IGBT的抗短路能力,进一步改善短路与通态压降的矛盾关系,研究了IGBT背面工艺对抗短路能力的影响.通过TCAD仿真,在IGBT处于负载短路工作期间,针对场终止(FS)层n型注入剂...
  • 33. 具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管
    作者： 庄翔 张超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  199-204
    摘要： 研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性.与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,...
  • 34. 沉积温度对ALD制备HfO2薄膜结构和性能的影响
    作者： 赵恒利 杨培志 李赛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  205-210,242
    摘要： 采用原子层沉积(ALD)技术,以四(乙基甲基胺基)铪(TEMAHf)和去离子水为前驱体,沉积温度分别为150、200、250和300℃时,在单面抛光硅片和石英玻璃衬底上制备了HfO2薄膜,并...
  • 35. 金刚线切割的多晶PERC太阳电池背叠层钝化工艺的优化
    作者： 张波 郭丽 赵彩霞 杨飞飞 赵科巍 李正平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  211-216
    摘要： 为研究金刚线切割(DWS)的多晶钝化发射极背面电池(PERC)的背叠层钝化工艺对太阳电池长波光谱响应的影响,通过时域有限差分(FDTD)软件模拟传统铝背场电池与PERC电池的电场强度分布情况...
  • 36. 氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响
    作者： 高秀秀 柯攀 戴小平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  217-221,236
    摘要： 为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了 n沟道4H-SiC双注入M...
  • 37. 硅微陀螺仪低功耗数字相敏解调ASIC设计
    作者： 郑天涌 裘安萍 夏国明 赵阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  222-230
    摘要： 为了避免相敏解调引入的1/f噪声,同时进一步提高集成度、降低功耗,实现高精度硅微陀螺仪的全数字输出,设计了一种硅微陀螺仪数模单片集成电路.首先,针对已有的∑-△模数转换器(ADC)交流量化方...
  • 38. Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC
    作者： 杜鹏搏 王瑜 焦雪龙 刘学利 崔朝探 任志鹏 曲韩宾
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  231-236
    摘要： 研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC).MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率...
  • 39. 基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC
    作者： 许春良 李明 王雨桐 魏洪涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  237-242
    摘要： 介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制.该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优...
  • 40. 热电应力下闪速存储器耐擦写次数预测方法
    作者： 刘江城 岳阳 黄姣英 高成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年3期
    页码:  243-248
    摘要： 针对闪速存储器的擦写测试与失效分析的需要,探究了基于阿伦尼斯模型的加速试验方法用于闪速存储器的可行性,提出了一种热电应力下闪速存储器耐擦写次数的预测方法.利用Silvaco TCAD仿真软件...
  • 41. SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)
    作者： 赵正平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  249-265,287
    摘要： 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电...
  • 42. GaxIn1-xP氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
    作者： 张嵩 程文涛 王健 程红娟 闫礼 孙科伟 董增印
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  266-273
    摘要： 对Ⅲ-V族化合物半导体GaxIn1_xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了 GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对GaxIn1-xP外延层质量和...
  • 43. 基于峰值谱技术的GaN基微波功率器件陷阱表征方法
    作者： 张娇 张亚民 冯士维
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  274-280
    摘要： GaN基微波功率器件在高电场影响下产生了界面缺陷和陷阱效应,加剧了器件有源区材料的损伤,是造成其在高频、大功率应用下电学参数退化的重要因素.提出了一种基于贝叶斯迭代的时间常数谱的提取方法,通...
  • 44. SiC MOSFET特性参数的一致性分析
    作者： 杜泽晨 吴沛飞 刘瑞 桑玲 田丽欣 张文婷 杨霏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  281-287
    摘要： SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫.以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1 200 V/20 A SiC MOS...
  • 45. 植物生长用多排阵列LED的散热结构
    作者： 彭程 雷允超 毛育青
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  288-295,331
    摘要： 为了改善植物生长用LED灯具的散热性能,利用Icepak对其散热过程进行仿真.设定LED红、蓝、白组合光芯片数之比为3:1:1,研究矩形排列和三角形排列的排列顺序对温度的影响.开展了散热器几...
  • 46. 三维自组装氧化锌纳米花的制备及其气敏性能
    作者： 韩新宁 廖港丽 崔慧娜 董文斌 赵震 姚垚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  296-301,306
    摘要： 以乙酸锌为前驱体,采用一步溶剂热法成功制备了三维(3D)自组装氧化锌(ZnO)纳米花(NF),并采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对...
  • 47. 水汽侵入对Cu互连电迁移性能退化的影响机理
    作者： 范伟海 韩兆翔
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  302-306
    摘要： 随着超大规模集成电路(VLSI)工艺的发展及低介电常数(k)材料的引入,芯片及测试结构对于水汽侵入的影响愈加敏感,从而对Cu互连可靠性测试的准确性提出了严峻的挑战.通过设计的实验验证了水汽侵...
  • 48. 一种硅微谐振式加速度计频率读出方法与ASIC实现
    作者： 赵广胜 夏国明 裘安萍 施芹 赵阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  307-312,331
    摘要： 针对硅微谐振式加速度计(SRA),提出了 一种低噪声、低功耗、可集成的频率读出电路.频率读出电路主要基于Σ-Δ原理,实现了对量化噪声的调制与抑制,在0.1 Hz频率下实现了 0.1mHz/√...
  • 49. 基于IPD工艺的滤波器设计
    作者： 李鹏浩 吴蓉 马骁 杨新豪 陈思婷 邱昕 郭瑞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  313-319
    摘要： 采用集成无源器件(IPD)工艺设计并实现了一款9阶椭圆低通滤波器和一款9阶椭圆高通滤波器.利用设计软件对电感元件、滤波器中的串联和并联谐振支路以及滤波器整体进行设计布局以及电磁仿真优化.低通...
  • 50. 0.8～3.2 GHz 6 bit MMIC数字移相器的设计与实现
    作者： 王坤 周宏健 周睿涛 李光超 苏郁秋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  320-324
    摘要： 基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8～3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.该移相器的5.625°、11.2...
  • 51. 一种用于高精度电容传感器电路的三级运算放大器
    作者： 任臣 杨拥军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  325-331
    摘要： 为提高电容式传感器专用集成电路(ASIC)的检测精度,设计了一种三级运算放大器电路.该放大器电路为全差分实现形式,采用三级共源放大器级联结构,使用密勒补偿并调整零点抵消高频极点,以保证放大器...
  • 52. 一种9端口微波多功能收发芯片在片测试技术
    作者： 陈兴 樊渝 李梦琪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2022年4期
    页码:  332-335
    摘要： 多功能芯片由单入单出单通道升级为多入多出多通道收发芯片,并大量应用于现代通信领域.针对多收发通道多功能芯片测试过程中,多次移动探针、重复压针、无法自动测量、测试效率低等不足,研究了多端口在片...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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