SiC MOSFET特性参数的一致性分析

• 作者: 杜泽晨 吴沛飞 刘瑞 桑玲 田丽欣 张文婷 杨霏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 偏离度 变异系数 标准差 偏度 峰度 多指标量化分析
• 年，卷（期）: 2022,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与器件|Semiconductor Materials and Devices
• 页码范围: 281-287
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.04.004

摘要

SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫.以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1 200 V/20 A SiC MOSFET作为研究对象,通过对比实验分析了测试仪器及方法对国产SiC MOSFET的静态特性参数测试结果的影响.采用标准差、偏度、峰度、偏离度和变异系数量化评估了 SiC MOSFET动、静态特性参数的一致性,发现跨导、漏源极电容、栅源极电容、下降时间和关断延时一致性较好,而导通电阻、阈值电压、栅漏极电容、上升时间和开通延时的一致性较差,从而为后续器件的改进设计提供数据支撑.