半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 孙强 张保国 张启明 张礼 缪玉欣 罗超 韩丽楠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  881-887
    摘要: 简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤...
  • 作者: 俞德军 刘洋 孙明远 宁宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  888-891,928
    摘要: 提出了一种改进的高输入电压调整电路结构,该电路结构在TSMC 0.25 μm BCD工艺平台进行验证.电路包括两个参考电压模块、两级调整电路和一个关断信号产生模块.介绍了初级电压调整和精确电...
  • 作者: 何进 常胜 王豪 薛喆 许仕龙 陈婷 黄启俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  892-895,917
    摘要: 采用0.25 μm SiGe双极CMOS (BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA).在寄生电容为65fF的情况下,电路分为主放大器模块、...
  • 作者: 冯士维 孟菊 廖之恒 王勋 罗琳 郭春生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  896-901,922
    摘要: 基于CREE公司生产的十条栅指AlGaN/GaN HEMT器件,利用热传导方程,研究了AlGaN/GaN HEMT器件热阻随热源尺寸的变化规律及影响机理,建立了GaN HEMT器件的热传播模...
  • 作者: 冯志红 刘沛 尹甲运 张志荣 房玉龙 王元刚 王波 蔡树军 郭艳敏 顾国栋 高楠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  902-907
    摘要: 使用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上分别采用AlN和GaN作为形核层生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料,并进行了器件制备和性能分析.通过原子...
  • 作者: 任利鹏 刘玉岭 张凯 张文倩 王辰伟 韩丽楠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  908-912
    摘要: 抛光雾(Haze)是硅晶圆精抛过程中表面质量评定的重要参数之一.主要研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液磨料质量分数、pH值、FA/O型非离子表面活性剂和混合表面活性剂对Haze值的影响...
  • 作者: 刘玉岭 牛新环 王辰伟 腰彩红 赵欣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  913-917
    摘要: 随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点.以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值的新型弱碱性抛...
  • 作者: 尚锐刚 张建 李明飞 王永涛 蔡丽艳 赵而敬 鲁进军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  918-922
    摘要: 随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视.通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律.结果表明,随着抛光时间的延...
  • 作者: 王彦 王胜利 王辰伟 田胜骏 田骐源 腰彩虹
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  923-928
    摘要: 随着集成电路特征尺寸的减小、晶圆尺寸的增大以及布线层的逐渐增多,加工晶圆过程中实现较高的材料去除速率、较小的片内非一致性(WIWNU)及较小的表面粗糙度已经成为铜化学机械抛光工艺的几大难点....
  • 作者: 仇圣棻 胡建强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  929-932,955
    摘要: 为了研究侧壁隔离层对闪存器件可靠性的影响,分别制备了Si3N4和SiO2-Si3N4-SiO2-Si3N4 (ONON)复合层作为栅侧壁隔离层的45 nm或非闪存(NOR flash)器件,...
  • 作者: 张翀 谢晶 谢泉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  933-937,950
    摘要: 采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe3Si/MgO/Si多层膜结构.利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分...
  • 作者: 姚兴军 方俊杰 杨家辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  938-943
    摘要: 除了正四边形,正六边形也是倒装芯片中可行的焊球排布形式,为了预测封装倒装芯片时的下填充过程,需要精确计算毛细驱动压.在已有的焊球正四边形排布情况下平均毛细压计算方法的基础上,进一步研究了焊球...
  • 作者: 徐辉 易茂祥 董文祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  944-950
    摘要: 随着集成电路芯片制造工艺进入纳米阶段,电路可靠性问题变得越来越严重,以负偏置温度不稳定性效应为代表的电路老化也逐渐成为影响其性能的重要因素.基于老化预测的精确性和传感器功能的多样性,提出了一...
  • 作者: 刘雪红 吴嵘 张恒波 许文祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  951-955
    摘要: 提高LED的光学和电学参数的测量精度与效率对于确保LED的产品质量、满足市场需求具有重要的意义.根据企业中LED的实际生产情况,给出了一种基于.NET平台的LED/板上芯片(COB)光电参数...
  • 作者: 余兆安 冯雪 吕杭炳 姚志宏 汪毓铎 董大年
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  956-959
    摘要: 阻变存储器(RRAM)是一种新型的不挥发存储技术,研究阻变存储器阵列规模的存储性能以及可靠性问题是推进RRAM实用化的关键.目前通用的基于微控探针台的半导体参数分析的常规测量系统无法完成对阵...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年12期
    页码:  960
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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