硅衬底CMP过程中抛光雾的控制

• 作者: 任利鹏 刘玉岭 张凯 张文倩 王辰伟 韩丽楠
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光雾 化学机械抛光(CMP) 磨料质量分数 pH值 非离子表面活性剂
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 908-912
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2|TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.12.006

摘要

抛光雾(Haze)是硅晶圆精抛过程中表面质量评定的重要参数之一.主要研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液磨料质量分数、pH值、FA/O型非离子表面活性剂和混合表面活性剂对Haze值的影响.实验结果显示,磨料质量分数为0.1％是影响Haze值变化的拐点.当磨料质量分数由2％降至0.1％时Haze值下降迅速;当磨料质量分数由0.1％降至0.01％乃至0％时Haze值稍有增加.抛光液pH值约为9.5时Haze值最低,硅片表面质量最好,在此基础上提高或降低pH值都会增加Haze值.随着非离子表面活性剂体积分数的增加,Haze值快速下降.渗透剂脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和FA/O型非离子表面活性剂混合使用比单独使用其中任何一种更有利于降低Haze值,且当JFC与FA/O的体积比为3∶1时,Haze值降到0.034,满足了工业生产的要求.