半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 任达森 岳兰 罗胜耘 陈家荣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  401-410,474
    摘要: 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能.近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或...
  • 作者: 徐秋霞 许高博 陶桂龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  411-420
    摘要: 综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展.针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效...
  • 作者: 张钊锋 梅年松 陈峥涛 魏哨静
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  421-425
    摘要: 采用电压控制的伪电阻结构,设计了一款具有超低频下截止频率调节功能的带通可变增益放大器(VGA),由于该结构具有可调节超大的等效电阻和反馈电容使VGA的下截止频率可以调节.提出了一种改进的甲乙...
  • 作者: 刘永强 吴洪江 王雨桐
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  426-430
    摘要: 基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130 ~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA).该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确...
  • 作者: 刘辉 孙朋朋 张蓉 王琦 罗卫军 耿苗
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  431-435
    摘要: 基于WIN 0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.22.5°和45°移相单元采用开关滤波型...
  • 作者: 吕晓强 张万荣 杜成孝 杨坤 温晓伟 王娜 谢红云 金冬月
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  436-440,447
    摘要: 针对传统共漏-共栅-共源(CD-CG-CS)有源电感的不足,结合有源网络和受控辅助电阻支路,设计了一款具有大电感值,且可在不同频率下获得高Q峰值和在同一频率下对Q峰值进行大范围调谐的新型有源...
  • 作者: 刘曦 吕柔睿 张彼德 方春恩 李伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  441-447
    摘要: 碳化硅(SiC)作为新型材料,在高温、高频和大功率等领域中具有很大的潜力.SiC功率半导体器件在电力电子电路中应用广泛,提取精确的物理模型参数对电力电子电路设计尤为重要.在对SiC肖特基二极...
  • 作者: 刘浩 张坤伟 张晓光 焦梦丽 赵润
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  448-452
    摘要: 设计并制作了一种新型分布反馈(DFB)光栅激光二极管结构.采用传输矩阵法模拟得到了不同光栅耦合因子、不同结构下随机相位对归一化阈值增益差和性能参数分布的影响;对高于阈值增益情况下激光二极管的...
  • 作者: 李怡 杨银堂 段宝兴 王勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  453-457
    摘要: 设计了一款基于生物应用的截止频率为38.49 Hz的5阶跨导电容(Gm-C)低通滤波器.首先利用电流互抵技术设计实现了一款低Gm的运算跨导放大器(OTA),并基于此OTA,采用无源电感电容(...
  • 作者: 孙楚潇 张丹妮 李平 王宇轩 王月
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  458-462,468
    摘要: 采用Ag离子辅助化学刻蚀法制备了多晶黑硅薄片,使用NaOH溶液处理多晶黑硅表面,增大其表面纳米孔直径,使SiNx薄膜能够均匀覆盖整个黑硅表面,提高黑硅的钝化效果,进而提高多晶黑硅电池光电转化...
  • 作者: 吴亚军 姚兴军 方俊杰 杨家辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  463-468
    摘要: 下填充流动是确保倒装芯片可靠性的重要封装工艺,其流场和流动过程具有明显的二维特征,通过降维得到的二维化数值分析新方法能高效地模拟下填充流动过程.针对一种焊球非均匀、非满布的典型倒装芯片,用该...
  • 作者: 俞跃辉 刘汝萍 卢仕龙 林敏 董业民
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  469-474
    摘要: 基于上海微系统与信息技术研究所0.13 μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库...
  • 作者: 何春华 侯波 叶琳 王歆 陆裕东 黄云
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2017年6期
    页码:  475-480
    摘要: 提出了一种基于频谱响应特性的集成电路故障预测技术,该技术成功实现了数字芯片SP3232E在故障诊断与故障预测中的应用,并验证了其在电子元器件的故障诊断与故障预测上的可行性与有效性.实验结果表...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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