X波段4bit MMIC数字移相器的设计与实现

• 作者: 刘辉 孙朋朋 张蓉 王琦 罗卫军 耿苗
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 数字移相器 单片微波集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 开关滤波型 高低通型
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 431-435
• 页数: 5页
• 分类号: TN623|TN454
• 字数: 1721字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.06.005

摘要

基于WIN 0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.22.5°和45°移相单元采用开关滤波型拓扑结构,90°和180°移相单元采用高低通滤波型拓扑结构.对拓扑结构工作原理进行分析,并采用ADS2014软件完成电路的电磁仿真及优化.测试结果表明,该4 bit MMIC数字移相器获得了优良的宽带性能,且与仿真结果吻合良好.在8～ 13 GHz频带内,移相器的均方根(RMS)相位精度误差小于6.5°,插入损耗优于-6.8 dB,RMS插入损耗波动低于0.5 dB,输入回波损耗优于-13 dB,输出回波损耗优于-9.5 dB.该4 bit MMIC数字移相器在相对带宽为47％的X频段内性能优良,适用于有源相控阵雷达等通信系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王琦	中国科学院微电子研究所	64	552	13.0	22.0
5	刘辉	中国科学院微电子研究所	70	395	10.0	17.0
9	罗卫军	中国科学院微电子研究所	17	35	4.0	5.0
13	孙朋朋	中国科学院微电子研究所	3	4	1.0	2.0
17	耿苗	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	4	1.0	2.0
18	张蓉	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	4	1.0	2.0