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保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响
保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响
作者:
刘畅
张峰
黄鲁
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
静电放电(ESD)
版图
保护环
多指器件非均匀开启
传输线脉冲(TLP)测试
耐压能力
摘要:
基于华润上华0.5 μm双极-CMOS-DMOS (BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力.以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构.通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力.仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36%,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法.
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文献信息
篇名
保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
静电放电(ESD)
版图
保护环
多指器件非均匀开启
传输线脉冲(TLP)测试
耐压能力
年,卷(期)
2017,(3)
所属期刊栏目
半导体器件
研究方向
页码范围
205-209
页数
5页
分类号
TN386.1
字数
语种
中文
DOI
10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张峰
中国科学技术大学电子科学与技术系
149
3496
30.0
56.0
5
黄鲁
中国科学技术大学电子科学与技术系
75
277
9.0
13.0
6
刘畅
中国科学技术大学电子科学与技术系
118
1090
17.0
29.0
传播情况
被引次数趋势
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二级参考文献(0)
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参考文献(0)
二级参考文献(2)
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参考文献(0)
二级参考文献(2)
2012(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
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参考文献(0)
二级参考文献(1)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
2017(5)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(4)
二级引证文献(1)
2017(5)
引证文献(4)
二级引证文献(1)
2018(4)
引证文献(0)
二级引证文献(4)
2019(3)
引证文献(0)
二级引证文献(3)
2020(3)
引证文献(1)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
静电放电(ESD)
版图
保护环
多指器件非均匀开启
传输线脉冲(TLP)测试
耐压能力
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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