SiO2/4H-SiC界面氮化退火

• 作者: 李诚瞻 王弋宇 申华军 赵艳黎 陈喜明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2/4H-SiC 氮化退火 界面态密度 平带电压 C-V磁滞电压 迁移率
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 215-218
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.011

摘要

通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层.为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数.制作了MOS电容和横向MOSFET器件,通过表征SiO2栅氧化层C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平带电压、C-V磁滞电压、SiO2/SiC界面态密度和载流子沟道迁移率等电学参数.实验结果表明,干氧氧化形成SiO2栅氧化层后,在1 300℃通入N2退火30 min,随后在相同温度下进行NO退火120 min,为最佳栅极氧化层退火条件,此时,SiO2/SiC界面态密度能够降低至2.07×1012 cm-2·eV-1@0.2 eV,SiC MOSFET沟道载流子迁移率达到17 cm2·V-1·s-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0