碱性抛光液中表面活性剂对铜钽的电偶腐蚀

• 作者: 刘玉岭 李月 李祥州 王胜利 王辰伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碱性抛光液 表面活性剂 铜 钽 电偶腐蚀 电位 化学机械抛光(CMP)
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 210-214
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.010

摘要

在阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,阻挡层材料钽(Ta)易与铜(Cu)发生电偶腐蚀.针对这一问题,通过电化学分析方法研究了碱性抛光液中非离子表面活性剂对铜钽腐蚀电位的影响;通过CMP实验研究了非离子表面活性剂对铜钽去除速率的影响.结果表明,随着非离子表面活性剂体积分数增加至9％,铜钽的腐蚀电位均降低.最终确定最佳非离子表面活性剂的体积分数为6％.此时,在静态条件下,铜钽电极之间的电位差为1 mV;在动态条件下,铜钽电极之间的电位差为40 mV,可极大地减弱铜钽电偶腐蚀.同时,铜钽的去除速率分别为47 nm·min-1和39 nm·min-1,铜钽去除速率选择比满足阻挡层CMP要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
5	王胜利	河北工业大学电子信息工程学院	26	107	6.0	8.0
9	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
13	李月	河北工业大学电子信息工程学院	2	5	2.0	2.0