GaN HEMT器件热特性的电学测试法

• 作者: 彭浩 童亮 茹志芹 迟雷 黄杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 电学测试法 热特性测试 瞬态热测试界面法 红外热成像法
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 235-240
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.015

摘要

基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究.通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量.根据测得的热阻-热容结构函数曲线可知,GaN HEMT器件结到壳热阻主要由金锡焊接工艺和管壳热特性决定.结合结构函数分析,对金锡焊接部分热阻和管壳热阻进行排序可剔除有工艺缺陷的器件.与红外热成像法的结温测试结果进行对比分析,证实了电学法测试结果的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭浩	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	10	2.0	3.0
2	黄杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	21	2.0	4.0
3	迟雷	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	4	1.0	2.0
4	茹志芹	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	7	2.0	2.0
5	童亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	5	1.0	2.0