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应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感
应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感
作者:
丁春宝
付强
张万荣
谢红云
赵彦晓
郭振杰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
有源电感
回转器
品质因子
Cascode结构
SiGeHBT
摘要:
针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗表达式.最后基于Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,利用ADS软件完成电路设计与仿真,应用Cadence Virtuoso平台完成版图设计.改进之后的有源电感,通过改变外加偏置条件,实现了电感值和品质因子Q值的可调,电感值可调范围为0.35~2.72 nH,Q值最大值可达1 172,版图面积仅为51 μm ×35 μm.该有源电感应用于射频电路中,可取代无源电感.与无源电感相比,品质因子Q值明显提高,版图面积大大减小,更利于集成.
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基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
有源电感
回转器
品质因数
自谐振频率
应用于WLAN的SiGe射频功率放大器的设计
射频
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SiGe
内容分析
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文献信息
篇名
应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
有源电感
回转器
品质因子
Cascode结构
SiGeHBT
年,卷(期)
2013,(2)
所属期刊栏目
半导体器件
研究方向
页码范围
101-104
页数
分类号
TN322.6
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353x.2013.02.005
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张万荣
北京工业大学电子信息与控制工程学院
105
390
8.0
12.0
2
谢红云
北京工业大学电子信息与控制工程学院
66
215
8.0
9.0
3
丁春宝
北京工业大学电子信息与控制工程学院
21
83
6.0
7.0
4
付强
北京工业大学电子信息与控制工程学院
17
39
4.0
5.0
5
赵彦晓
北京工业大学电子信息与控制工程学院
9
29
3.0
5.0
6
郭振杰
北京工业大学电子信息与控制工程学院
5
27
3.0
5.0
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2013(1)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(6)
引证文献(3)
二级引证文献(3)
2016(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2017(7)
引证文献(3)
二级引证文献(4)
研究主题发展历程
节点文献
有源电感
回转器
品质因子
Cascode结构
SiGeHBT
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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