斜埋氧SOI LDMOS高压器件新结构

• 作者: 卿朝进 李天倩 王军 阳小明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 空穴 斜埋氧层 绝缘体上的硅 临界击穿电场 击穿电压
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 16-19,50
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.004

摘要

为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS (S SOI LDMOS)耐压新结构.当器件关断时,倾斜的埋氧层束缚了大量的空穴,在埋氧层上界面引入了高密度的正电荷,大大增强了埋氧层中的电场,从而提高了纵向耐压.另外,埋氧层的倾斜使器件漂移区厚度从源到漏线性增加,这就等效于漂移区采用了线性变掺杂,通过优化埋氧层倾斜度,可获得一个理想的表面电场分布,提高了器件的横向耐压.对器件耐压机理进行了理论分析与数值仿真,结果表明新结构在埋氧层厚度为1 μm、漂移区长度为40μm时,即可获得600 V以上的击穿电压,其耐压比常规结构提高了3倍多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李天倩	西华大学电气信息学院	22	22	2.0	3.0
2	阳小明	西华大学电气信息学院	24	39	3.0	5.0
3	王军	西华大学电气信息学院	99	727	15.0	22.0
4	卿朝进	西华大学电气信息学院	23	67	4.0	8.0