选择性腐蚀Si1-xGex与Si制备绝缘体上超薄应变硅

• 作者: 张苗 母志强 狄增峰 薛忠营 陈达
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 选择性腐蚀 应变硅 超薄 绝缘体上应变硅 锗硅
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 40-44
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.009

摘要

基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25％的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Sil-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅.研究了质量分数为0.5％～5％的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺.采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI.采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度；使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度；使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征.结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91％,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈达	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	13	266	6.0	13.0
2	张苗	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	83	6.0	8.0
3	薛忠营	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	5	13	2.0	3.0
4	狄增峰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	14	3.0	3.0
5	母志强	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	7	1.0	1.0