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半导体技术2013年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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121. Ku波段宽带高增益单片中功率放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用ADS软件对电路图进行了电学参数优化、电磁场仿真和版图绘制.针对放大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件.使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN...
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123. 一种新型FS-CIGBT器件设计及仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提...
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124. MPS快恢复二极管正向压降的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗...
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125. 温度对白光大功率LED分档集中度的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： LED封装行业中主要在常温下测试,并对产品进行产品的分选以保证集中度及一致性,但在LED正常使用时会发出热量,工作温度升高,一些场合,其工作温度会达到50℃以上的高温,且工作温度是随机的,造...
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126. 锇在甲酸体系抛光液中化学机械抛光研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 基于金属锇有可能成为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料,利用自制的甲酸(HCOOH)体系抛光液对金属锇进行了化学机械抛光研究,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后锇的表面形貌.采用电化学分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用自制的不含常用的腐蚀抑制剂(BTA)碱性铜精抛液对铜和钽进行了化学机械抛光.研究了高稀释倍数(50倍)的精抛液对铜膜的静态腐蚀速率和抛光速率以及钽抛光速率的影响,并对65 nm技术节点的...
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128. 超声雾化热解法制备ATO薄膜及其性能研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 采用超声雾化热解法在石英基底上制备了掺锑二氧化锡透明导电薄膜.采用X射线衍射检测薄膜的晶体结构,扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,研究了不同基底温度和Sb掺杂量下薄膜的晶体优势生长面、晶粒形...
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129. 镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛.其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一.由于烧球工艺为瞬态过程,...
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130. 功率快恢复二极管反偏ESD机理分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究.采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程...
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131. 砷化镓晶体生长设备的发展回顾刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要： 作为第二代半导体材料的代表,化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性,能够广泛应用于发光器件(激光器,发光二极管)、光探测器(光探测器)以及高频器件等领域.为了充分利用其固...
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132. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年8期页码:摘要：
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133. 金刚石电子材料生长的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一.介绍了金刚石基的电子器件及其材...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器.输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定.中间级为增益...
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135. GaAs PHEMT通信开关电路设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 设计制作了GaAs PHEMT通信开关电路.分析了基于GaAs场效应晶体管(FET)的正压控制开关电路原理,采用GaAs FET器件串并联结构设计了单刀双掷(SPDT)和双刀双掷(DPDT)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15 μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显示该混频器芯片在30 ～ 40 GHz频率...
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137. RRAM阻变效应的物理机制刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理对阻变随机存取存储器(RRAM)器件的阻变物理机制进行了分析研究.对比计算了氧空位缺陷或掺杂(Al,Ti和La)HfO2体系的形成能、能带结构、态密度以及迁移...
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138. 光纤光栅外腔半导体激光器锁模特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 根据等效腔法和耦合模理论,研究了光纤光栅外腔半导体激光器的理论模型.讨论了光纤光栅反射率对阈值电流和输出功率的影响,说明光纤光栅反射率存在一个最佳值.耦合系数越高,等效反射率也就越大,因此提...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 随着Si片尺寸加大和特征尺寸的缩小,对Si片的洁净程度、表面的化学态以及表面缺陷等要求越来越高.针对300 mm 65 nm Cu互连晶片清洗后表面常出现边缘和辐射状污染的问题.在理论分析的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 为合理解释电动汽车中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块引线键合失效机理并有效预测其寿命,提出了基于失效物理分析(PFA)的IGBT模块键合引线的快速寿命预测方法.首先,分析了IGBT模块引线...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料.采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表...
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142. 倒装芯片封装中下填充流场渗透率的数值分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 倒装芯片封装中的下填充流场可以假设为多孔介质流场,其渗透率的求解对研究下填充流动过程至关重要.根据下填充流场所具有的周期性结构,通过单胞数值模拟的方法得到了下填充流场的渗透率.通过对渗透率数...
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143. 基板焊盘的金属层结构对焊接点强度的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 球栅阵列封装具有高密度、低成本的特点被内存领域广泛采用.在实际的使用过程中由于遭受外界各种形式的机械负载和冲击造成器件失效,典型的失效模式有5类,突出问题是焊点失效,而焊点破裂是失效的主要形...
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144. 再布线圆片级封装板级跌落可靠性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 再布线圆片级封装通过对芯片焊区的重新构造以及无源元件的集成可以进一步提升封装密度、降低封装成本.再布线圆片级封装器件广泛应用于便携式设备中,在实际的装载、运输 和使用过程中抗冲击可靠性受到高...
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145. 再布线圆片级封装的温度循环可靠性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 圆片级封装再布线层结构改变焊盘布局从而提升器件I/O密度和集成度,在移动电子产品中得到广泛应用,其热机械可靠性备受关注.按照JEDEC标准对含RDL结构的WLP器件进行了温度循环试验,研究了...
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146. 宇航级晶体管寿命试验刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要： 选取美国宇航级晶体管2N2219AL同批次的4组(分别为A,B,C和D组)样品进行了寿命试验.A组样品在额定功率PCM为800 mW下进行了6 000 h的工作寿命试验；B,C和D组样品分别...
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147. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年9期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN...
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149. 半导体材料中激子扩散动力学研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 在半导体量子阱器件中,激子发光占有非常重要的地位.阐述了半导体材料中激子扩散动力学研究进展.首先在介绍半导体量子阱中激子的新奇发光现象——双发光环的基础上,阐明了双环图案形成的物理机制;其次...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年10期页码:摘要： 针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构.该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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