倒装芯片封装中下填充流场渗透率的数值分析

• 作者: 周鑫延 姚兴军 王正东 章文俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 倒装芯片 下填充 渗透率 数值模拟 幂律模型
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 封装技术
• 页码范围: 691-696,701
• 分类号: TN305.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.09.010

摘要

倒装芯片封装中的下填充流场可以假设为多孔介质流场,其渗透率的求解对研究下填充流动过程至关重要.根据下填充流场所具有的周期性结构,通过单胞数值模拟的方法得到了下填充流场的渗透率.通过对渗透率数据的分析,发现了渗透率和下填充流场参数之间的关系,并建立了计算渗透率的幂律模型.其中幂律模型的底是下填充流场的孔隙率,系数仅与芯片和基板的间隙有关,指数仅与芯片和基板的间隙相对于焊球直径的比值有关.通过实例分析表明,与其他模型相比,用基于幂律模型的渗透率所计算出的填充时间更符合实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王正东	华东理工大学机械与动力工程学院	96	922	16.0	24.0
2	姚兴军	华东理工大学机械与动力工程学院	16	96	6.0	9.0
3	周鑫延	华东理工大学机械与动力工程学院	2	8	2.0	2.0