半导体材料中激子扩散动力学研究进展

• 作者: 王庆禄 王志刚 王莉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 激子 长程扩散 发光环 陷阱 量子阱器件
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 729-734
• 分类号: O471
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.10.002

摘要

在半导体量子阱器件中,激子发光占有非常重要的地位.阐述了半导体材料中激子扩散动力学研究进展.首先在介绍半导体量子阱中激子的新奇发光现象——双发光环的基础上,阐明了双环图案形成的物理机制;其次介绍了量子阱中偶极激子扩散的特点与物理机制,总结了静电陷阱和应力陷阱中的激子非线性扩散动力学的理论与实验研究成果,然后对有机物半导体中激子扩散进行了概述;最后展望了半导体量子阱中激子的玻色-爱因斯坦凝聚在大功率、低功耗的光电子器件、超快逻辑器件和量子计算中的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志刚	唐山师范学院物理系	16	10	2.0	2.0
2	王庆禄	唐山师范学院物理系	19	19	2.0	4.0
3	王莉	唐山师范学院物理系	12	13	1.0	3.0