Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管

• 作者: 冯志红 张效玮 房玉龙 贾科进 赵正平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAlN/GaN/AlGaN双异质结 异质结场效应晶体管(HFET) 附加功率效率 碳化硅(SiC) 功率增益截止频率/最高振荡频率
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 589-592,608
• 分类号: TN304.26|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.007

摘要

InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件.使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2 μm的异质结场效应晶体管.测试结果表明,在栅压+2V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDs为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3％,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz.就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果,也说明了InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料良好的应用前景

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平	河北工业大学信息工程学院	22	61	5.0	5.0
3	贾科进	河北工业大学信息工程学院	24	134	6.0	10.0
4	张效玮	河北工业大学信息工程学院	8	48	5.0	6.0
8	房玉龙		15	24	2.0	3.0
9	冯志红		38	81	5.0	5.0