高稀释倍数碱性铜精抛液在Cu CMP中的应用

• 作者: 刘玉岭 曹阳 王辰伟 蔡婷 陈蕊 高娇娇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜布线 精抛液 高稀释倍数 碟形坑 化学机械抛光(CMP)
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 614-617,628
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.012

摘要

采用自制的不含常用的腐蚀抑制剂(BTA)碱性铜精抛液对铜和钽进行了化学机械抛光.研究了高稀释倍数(50倍)的精抛液对铜膜的静态腐蚀速率和抛光速率以及钽抛光速率的影响,并对65 nm技术节点的300 mm单层铜布线片进行了平坦化研究.结果表明,铜膜的静态腐蚀速率为1.5 nm/min,动态抛光速率为206.9 nm/min,阻挡层Ta/TaN抛光速率仅为0.4 nm/min,Cu/Ta选择比高.此精抛液能够有效去除残余铜,进一步过抛完全去除残余铜时,对阻挡层的去除速率趋于0,而沟槽里的铜布线去除量低,碟形坑和蚀坑大小满足实际平坦化要求.此精抛液可满足65 nm技术节点平坦化的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	蔡婷	河北工业大学微电子研究所	7	35	4.0	5.0
4	曹阳	河北工业大学微电子研究所	7	29	4.0	5.0
5	高娇娇	河北工业大学微电子研究所	14	51	5.0	6.0
6	陈蕊	河北工业大学微电子研究所	7	26	4.0	5.0