连续波80 W大功率SiC MESFET

• 作者: 付兴昌 冯志红 崔玉兴 李亮 李佳 蔡树军 默江辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MESFET 连续波 大功率 散热 四胞
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 105-109
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.02.006

摘要

在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作.优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输入阻抗及输出阻抗.利用管壳外电路匹配技术,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法对器件阻抗进行了进一步提升.优化了管壳材料结构,采用无氧铜材料提高了管壳散热能力.采用水冷工作的方式解决了大功率器件散热问题,降低了器件结温,可靠性得到提高.采用多胞芯片匹配合成技术,实现四胞4×27 mm芯片大功率合成.四胞芯片封装器件在连续波工作频率为2 GHz、Vds为37.5 V时连续波输出功率达80.2 W(49.05 dBm),增益为7.0 dB,效率为32.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
3	蔡树军		18	62	4.0	7.0
4	冯志红		38	81	5.0	5.0
5	李佳		7	8	2.0	2.0
6	李亮		5	4	1.0	2.0
7	默江辉		6	8	2.0	2.0