Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制

• 作者: 刘洪涛 杨俊 谷勋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Cu CMP 超低介电常数(ULK) 介电常数k 退火
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 929-932
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.009

摘要

研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响.实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加.XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要原因.这主要是由于CMP工艺中,化学品溶液进入多孔的ULK薄膜.而退火工艺可以使得化学品挥发,从而使ULK薄膜表面C含量降低,由此介电常数k基本上得以恢复.初步建立了Cu CMP工艺对介电常数k影响的物理模型.根据模型计算的k结果为2.75,与实测值2.8基本符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨俊		1	0	0.0	0.0
2	刘洪涛		1	0	0.0	0.0
3	谷勋		1	0	0.0	0.0