非配比InP材料研究进展

• 作者: 孙同年 孙聂枫 李晓岚 杨瑞霞 王书杰 王阳 韩应宽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP 非配比 点缺陷 位错 富铟夹杂物
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 881-888,917
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.01

摘要

InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响.若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量过多时容易在晶体尾部产生孔洞,在孔洞周围位错密度明显增加.综述了与配比相关的InP材料的研究工作,着重分析了InP相图、不同配比InP材料制备、配比度的测量、与非配比相关的缺陷等方面的研究.重点探讨了非配比InP材料的制备、与配比相关缺陷的产生及缺陷对晶体质量的影响,对非配比InP的研究方向进行了分析和预测,提出了亟待研究解决的问题.