温度对压接型IGBT器件内部接触热阻的影响

• 作者: 张朋 李金元 赵志斌 邓二平 黄永章
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 压接型IGBT器件 接触热阻 有限元模型 单个FRD芯片子模组 温度
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 906-912,923
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.12.05

摘要

温度是功率半导体器件备受关注的问题,不仅直接影响功率半导体器件的电气性能,而且还间接影响功率半导体器件的热学和机械特性.压接型IGBT器件内部是电磁场、温度场和结构场的多物理量耦合场,器件内部各组件间的接触热阻是温度场与结构场双向耦合的重要桥梁,也是器件可靠性的重要影响因素.通过单芯片子模组有限元模型分析了各组件间的接触热阻,重点研究了温度对接触热阻的影响,计算了热阻测量前后的接触热阻值,并进行了对比.鉴于目前接触热阻测量方法的局限性,通过测量单个快恢复二极管(FRD)芯片子模组结到壳热阻值与温度的变化关系间接得到接触热阻与温度的关系,并对有限元计算结果进行了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵志斌	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	77	1185	18.0	33.0
2	黄永章	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	21	67	5.0	7.0
3	邓二平	华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室	11	24	3.0	4.0
5	张朋		5	36	3.0	5.0
6	李金元		4	22	3.0	4.0