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摘要:
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法.
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关键词热度
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文献信息
篇名 应用晶片键合技术制作激光器
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 晶片键合技术 脊波导 激光器
年,卷(期) 2004,(11) 所属期刊栏目 支撑技术
研究方向 页码范围 45-48
页数 4页 分类号 TN248.4
字数 2408字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈国鹰 河北工业大学研究生学院 62 307 9.0 12.0
2 花吉珍 中国电子科技集团公司第十三研究所 18 74 5.0 7.0
3 牛健 河北工业大学研究生学院 3 6 1.0 2.0
4 赵卫青 河北工业大学研究生学院 2 5 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
晶片键合技术
脊波导
激光器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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