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向90nm过渡的工艺技术及设备挑战
向90nm过渡的工艺技术及设备挑战
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摘要：
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基于90nm SOI CMOS工艺的24GHz信号发生器
SOI CMOS
功率放大器
信号发生器
32nm CMOS工艺技术挑战
CMOS技术
32nm技术节点
迁移率增强
金属栅/高k栅介质
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期刊影响力
电子工业专用设备
主办单位：
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
1004-4507
CN：
62-1077/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
邮发代号：
创刊时间：
1971
语种：
chi
出版文献量（篇）
3731
总下载数（次）
31
总被引数（次）
10002
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