超薄体MOSFET的结构优化

• 作者: 张国艳 王文平 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄体MOSFET 提升源漏高度 Ge摩尔百分比 硅膜厚度
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1227-1232
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.006

摘要

对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的UTB器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国艳	北京大学微电子学研究所	48	187	6.0	12.0
2	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
3	王文平	北京大学微电子学研究所	6	29	4.0	5.0