沉积温度对电子束蒸发沉积ZrO2薄膜性质的影响

• 作者: 范正修 范瑞瑛 贺洪波 邵建达 邵淑英
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜物理学 ZrO2薄膜 电子束蒸发 沉积温度
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 701-704
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.06.015

摘要

ZrO2薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)检测了ZrO2薄膜的晶体结构和表面形貌,发现室温下沉积ZrO2薄膜样品为非晶结构,随着沉积温度升高,ZrO2薄膜出现明显的结晶现象,在薄膜中同时存在四方相及单斜相.薄膜表现为自由取向生长,晶粒尺寸随沉积温度升高而增大.同时发现薄膜中的残余应力随沉积温度的升高,由张应力状态变为压应力状态,这一变化主要是薄膜结构变化引起的内应力的作用结果.同时讨论了不同沉积温度对ZrO2薄膜光学性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	212	2131	21.0	29.0
2	范瑞瑛	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	15	377	9.0	15.0
3	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	203	2312	23.0	32.0
4	贺洪波	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	48	491	16.0	19.0
5	邵淑英	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	18	309	9.0	17.0