直流磁控反应溅射法制备TiO2薄膜及氧敏特性分析

• 作者: 孙以材 张毅 潘国峰
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控反应溅射 TiO2薄膜 氧敏 激活能 机理
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 321-324
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 2798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2005.02.028

摘要

在本底真空2.4×10-3Pa,溅射电压420 V,溅射电流0.3 A,氧分压0.17 Pa,溅射总气压1.5 Pa条件下制得TiO2薄膜,未退火时为无定型结构,300℃退火后为锐钛矿结构,600℃退火后锐钛矿与金红石结构共存,1 000℃退火后完全转变为金红石结构.在一定工作温度下,随氧分压增加灵敏度逐渐升高;工作温度越高,灵敏度增加越缓慢;200℃下灵敏度随氧分压增加最快.在不同氧分压下分别计算得到激活能;认为Ti3+(int),Ti4+(int)和V2+O均存在且都对导电机制的形成起到作用,而Ti3+(int)作用最为显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙以材	河北工业大学微电子所	117	1247	18.0	31.0
2	张毅	河北工业大学微电子所	13	71	5.0	8.0
3	潘国峰	河北工业大学微电子所	70	462	10.0	18.0