飞兆推出80VN沟道MOSFET器件

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 80VN沟道MOSFET器件 FDS3572 DC-DC转换器 飞兆半导体公司
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: i009
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

飞兆半导体公司日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。