射频磁控溅射技术制备Ge-SiO2薄膜的结构和光学特性研究

• 作者: 孙钢 张敏刚 柴跃生 栾彩霞 马志华
• 来源期刊: 太原科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge纳米晶 XRD 拉曼散射 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 136-139
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2048字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2057.2005.02.014

摘要

用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge/SiO2).用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试,未经退火的样品呈现非晶状态,600 ℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现.研究了薄膜的Raman散射光谱,发现了其红移和宽化现象.测量了薄膜的光致发光谱,所有样品都在394 nm处发出很强的光,随着Ge纳米晶粒的出现,样品有310 nm和625 nm处的光发出,其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柴跃生		74	261	7.0	12.0
3	张敏刚		103	263	7.0	11.0
9	栾彩霞		3	7	2.0	2.0
11	孙钢		19	57	4.0	6.0
14	马志华		2	0	0.0	0.0