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摘要:
本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5 MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜.
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文献信息
篇名 DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 物理学
关键词 低介电常数薄膜 电子回旋共振等离子体
年,卷(期) 2005,(z1) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 97-100
页数 4页 分类号 O484
字数 2465字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.z1.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宁兆元 苏州大学物理科学与技术学院 70 528 12.0 18.0
2 叶超 苏州大学物理科学与技术学院 33 244 10.0 14.0
3 王婷婷 苏州大学物理科学与技术学院 26 109 7.0 9.0
4 俞笑竹 苏州大学物理科学与技术学院 4 20 3.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
低介电常数薄膜
电子回旋共振等离子体
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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