CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究

• 作者: 刘倜 欧文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Flash memory 漏电流 电子势垒 F化隧穿氧化层
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1434-1436
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1525字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.028

摘要

嵌入式Flash Memory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高Flash Memory的编程效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘倜	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
2	欧文	中国科学院微电子研究所	27	81	6.0	7.0