超深亚微米n沟道Si-MOSFET中栅介质的击穿

• 作者: 李青龙
• 来源期刊: 常州工学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超深亚微米 Si-MOSFET 栅介质 击穿
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0436.2005.03.005

摘要

通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩产生密度以及隧穿电流的变化,得出当源、漏偏压分别为0.5V和1.0V时,增大栅极电压到18V时,栅氧化层(3nm)被永久性击穿;而在栅、源、漏偏压分别为5V、0.5V、1.0V不变时,减薄栅氧化层到0.335nm时,栅氧化层被永久性击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李青龙	常州工学院电子信息与电气工程学院	8	6	2.0	2.0