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摘要:
实验采用射频溅射法在(1 102)蓝宝石基片上制备(00l)取向CeO2外延薄膜.低温、低溅射功率都会导致CeO2薄膜呈(111)取向生长.当基片温度在700℃~750℃,溅射功率在100~150W范围内能够制备得到高质量(00l)取向CeO2缓冲层.所制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.用这些缓冲层作为生长面制备得到的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全(00l)取向,且面内取向性良好,并具有优越的电学性能:其临界转变温度(Tc)为89.5K,临界电流密度Jc(77K,0T)约1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)大约为0.50mΩ,能较好的满足微波器件应用中的需要.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO2外延薄膜研究
来源期刊 低温物理学报 学科 物理学
关键词 YBCO超导薄膜 CeO2缓冲层 外延生长
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 234-240
页数 7页 分类号 O51
字数 2496字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张鹰 电子科技大学微电子与固体电子学院 47 169 7.0 9.0
2 李金隆 电子科技大学微电子与固体电子学院 12 66 5.0 7.0
3 刘兴钊 电子科技大学微电子与固体电子学院 56 310 9.0 14.0
4 熊杰 电子科技大学微电子与固体电子学院 41 205 6.0 12.0
5 陶伯万 电子科技大学微电子与固体电子学院 39 165 5.0 10.0
6 陈家俊 电子科技大学微电子与固体电子学院 7 30 4.0 5.0
7 谢廷明 电子科技大学微电子与固体电子学院 4 15 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
YBCO超导薄膜
CeO2缓冲层
外延生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
低温物理学报
双月刊
1000-3258
34-1053/O4
大16开
安徽省合肥市金寨路96号
26-136
1979
chi
出版文献量(篇)
1833
总下载数(次)
3
总被引数(次)
4241
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