AlGaN材料的MOCVD生长研究

• 作者: 李向阳 杨辉 梁骏吾 赵德刚 龚海梅
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN MOCVD 材料生长 寄生反应
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 氮基紫外器件与材料
• 页码范围: 873-876
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN304.2+6
• 字数: 3152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.021

摘要

文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制.在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率太小,随着TMAl流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着Al组分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也变差.随着TMAl流量的增加,AlGaN材料的生长速率反而下降,这是由于Al原子阻止了Ga原子参与材料生长.实验还发现,由于TMAl与NH3之间存在强烈的寄生反应,AlGaN材料中的Al组分远小于气相中的Al组分.文中简单探讨了提高AlGaN材料质量的生长方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	龚海梅	中国科学院上海技术物理所	69	451	10.0	18.0
3	李向阳	中国科学院上海技术物理所	110	438	10.0	14.0
4	赵德刚	中国科学院半导体研究所	42	214	9.0	12.0
5	梁骏吾	中国科学院半导体研究所	13	393	4.0	13.0