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摘要:
介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术--钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的垂直连接中的优缺点,并指出了钨化学机械抛光工艺中尚存的一些问题,最后对该工艺进行了总结与展望.
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内容分析
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文献信息
篇名 CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
来源期刊 微细加工技术 学科 工学
关键词 集成电路互连 钨化学机械抛光 钨插塞 凹陷 过蚀 钥孔现象
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 1-4,24
页数 5页 分类号 TN305.2
字数 2862字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张映斌 1 2 1.0 1.0
2 赵枫 1 2 1.0 1.0
3 李炳宗 1 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (3)
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2008(1)
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2018(1)
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  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
集成电路互连
钨化学机械抛光
钨插塞
凹陷
过蚀
钥孔现象
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
总被引数(次)
4940
论文1v1指导