溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究

• 作者: 唐逸 杨春生 马骏
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: BST 磁控溅射 膜厚 介电性能
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1923字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构.研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度.同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8 A/cm2和6×10-6 A/cm2.