GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究

• 作者: 王瑞敏 陈光德
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 低温拉曼谱 缺陷模
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 134-138
• 页数: 5页
• 分类号: O433|O474
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-5929.2006.02.007

摘要

对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究.除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制.结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模.而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同.此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光德	西安交通大学理学院	65	517	13.0	18.0
2	王瑞敏	西安交通大学理学院	10	30	3.0	5.0