Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统的温度特性研究

• 作者: 刘志弘 单一林 张伟 李希有 李翊 熊小义 许军 钱佩信 陈长春
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: Ti基硅化物 SiGe HBT RTA 温度特性
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.010

摘要

实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700 ℃及730～900 ℃两步退火后的方块电阻.对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性.造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关.实验利用XRD,研究了Ti(SiGe)2从C49相到C54相的转变.物相分析结果显示,其相转变温度在760～800 ℃之间.结合实验结论,对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGe HBT进行了退火温度的优化,其适合的高温退火温度为850 ℃左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子学研究所	180	2989	27.0	49.0
2	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
3	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
4	李希有	清华大学微电子学研究所	8	30	4.0	5.0
5	熊小义	清华大学微电子学研究所	5	18	3.0	4.0
6	陈长春	清华大学微电子学研究所	10	23	3.0	4.0
7	单一林	清华大学微电子学研究所	3	9	2.0	3.0
8	李翊	清华大学微电子学研究所	1	0	0.0	0.0