MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性

• 作者: 任迪远 余学峰 张国强 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热载子 界面态 电离辐照 退火
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2006.01.005

摘要

本文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入-室温退火-再次热电子注入-再次退火试验,并利用高频C-V及准静态C-V分析技术,从微观界面态热电子注入的感生及室温退火等角度研究了MOS结构热载子损伤及退火特性,为全面揭示SHE热载子损伤机制及发展抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
2	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
3	郭旗	中国科学院新疆物理研究所	50	338	10.0	16.0
4	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
5	艾尔肯	中国科学院新疆物理研究所	17	152	7.0	12.0
6	余学峰	中国科学院新疆物理研究所	19	125	7.0	10.0