MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性

• 作者: 任迪远 余学峰 张国强 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载子注入 总剂量辐照 相关性
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1975-1978
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.021

摘要

通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的.进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国强	中国科学院新疆理化技术研究所	82	553	12.0	21.0
2	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
3	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
4	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
5	艾尔肯	中国科学院新疆理化技术研究所	17	152	7.0	12.0
6	余学峰	中国科学院新疆理化技术研究所	19	125	7.0	10.0