磁控溅射SiC薄膜及其电学特性研究

• 作者: 周继承 郑旭强
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC微晶薄膜 表面形貌 电子激活能 电阻率
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳制造
• 页码范围: 1407-1410
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.025

摘要

用磁控溅射法(RMS)制备了SiC微晶薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度、方块电阻和电阻-温度曲线.结果表明:薄膜表面平整光滑;退火处理前后薄膜样品的lnR随1/kT的变化曲线均满足表达式,电子激活能的变化范围为0.0142 eV～0.0185 eV,且随退火温度的升高而增大;分析确定其导电机理为定域态间近程跳跃电导.退火前后薄膜电阻率的范围为2.4×10-3～4.4×10-Ω·cm,且随退火温度的升高而增大,与电子激活能的变化趋势一致,这进一步验证了本文提出的薄膜导电机理和激活能随退火温度的变化趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	郑旭强	中南大学物理科学与技术学院	6	60	4.0	6.0