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摘要:
对ULSI制备中铜布线化学机械抛光(CMP)进行了分析,综述了铜CMP技术的研究现状.主要内容包括铜CMP去除机理、铜CMP抛光液;分析了目前铜CMP技术存在的问题,指出了铜CMP今后的研究重点.
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文献信息
篇名 ULSI制备中铜布线化学机械抛光技术的研究与展望
来源期刊 河北工业大学学报 学科 工学
关键词 化学机械抛光 去除机理 抛光液
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 17-22
页数 6页 分类号 TU528
字数 4547字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2373.2006.05.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘玉岭 河北工业大学微电子研究所 263 1540 17.0 22.0
2 王胜利 河北工业大学微电子研究所 26 107 6.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
化学机械抛光
去除机理
抛光液
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
河北工业大学学报
双月刊
1007-2373
13-1208/T
大16开
天津市北辰区双口镇西平道5340号
1917
chi
出版文献量(篇)
3202
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10
总被引数(次)
21785
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