高增益K波段MMIC低噪声放大器

• 作者: 孙晓玮 王闯 钱蓉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PHEMT K波段 MMIC 高增益 低噪声放大器 芯片级电磁场仿真
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1285-1289
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.026

摘要

基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
2	钱蓉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	27	212	8.0	13.0
3	王闯	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	12	127	6.0	11.0