热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究

• 作者: 丁毅 何斌 刘国汉 宋雪梅 张文理 朱秀红 郜志华 陈光华 马占洁
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-Si:H薄膜 沉积速率 键合模式 光致衰退
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.017

摘要

采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.