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摘要:
利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌.测试发现样品的Ⅰ-Ⅴ曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V,反向饱和电流为0.02 mA.计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0 V~0.3 V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3 V~0.8 V的高偏压区域,理想因子为8.36.解释了理想因子偏高的原因是由于金属-半导体接触以及ZnO纳米线与p+-Si界面存在缺陷.
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文献信息
篇名 基于p+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 氧化锌 纳米线 异质结 理想因子
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 163-167
页数 5页 分类号 TN304.2+1|O475
字数 2360字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.03.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张晶 复旦大学材料科学系 28 140 8.0 10.0
2 方方 复旦大学材料科学系 16 74 6.0 8.0
3 徐华华 复旦大学化学系 12 45 4.0 6.0
4 邢晓艳 复旦大学材料科学系 4 20 2.0 4.0
5 孙大林 复旦大学材料科学系 28 224 9.0 14.0
6 陈国荣 复旦大学材料科学系 35 270 10.0 14.0
7 叶春暖 复旦大学材料科学系 6 31 4.0 5.0
8 朱健 复旦大学材料科学系 7 50 4.0 7.0
9 郑凯波 复旦大学材料科学系 7 57 6.0 7.0
10 沈浩镲 复旦大学材料科学系 1 8 1.0 1.0
传播情况
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真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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